hm2.0 konektor typu B19 Položka č. 244-23000-15
Obrázek podobný
Pravoúhlý
Technologie lisování
- Počet pól 95
- Délka připojení 2,9 mm
- pro tloušťku desky plošných spojů min. 1,44 mm
- bez stínění
- testováno podle normy IEC 61076-4-101
Výkresy
Další informace
Doba dodání
Technické údaje
Základy
| Specifikace | IEC 61076-4-101 |
|---|---|
| Úroveň kvality | 2 |
| Počet kontaktů | 95 |
| Technologie připojení | Technologie lisování |
| Délka připojení | 2,9 mm |
| Provozní teplota | -55 °C až +125 °C |
Materiál
| Izolační těleso | PBT vyztužený skleněnými vlákny, UL 94 V-0 |
|---|---|
| Hodnota CTI IEC 60112 | 200 |
| Kontaktní materiál | bronz |
Mechanické
| Rozměr mřížky | 2,0 mm |
|---|---|
| Vkládací síla na kontakt | Kontakt: max. 0,75 N, stínění: max. 1 N |
| Tažná síla na kontakt | Kontakt: min. 0,15 N, stínění: min. 0,15 N |
| Životnost | > 250 cyklů zasunutí |
Elektrický
| Provozní proud | 1,5 A při +20 °C, 1,0 A při +70 °C |
|---|---|
| Kontaktní odpor | max. 20 mΩ |
| Vzduchová a plazivá vzdálenost | ≥ 0,6 mm |
| Izolační odpor | min. 104 MΩ |
| Zkušební napětí | 750 V efektivní |
| Přenos dat | 3 125 Gbit/s |
Schválení / shoda
| Soubor UL | E130314 |
|---|---|
| Životní prostředí | V souladu s RoHS |
Specifikace otvorů
| Material | chem. Sn Schicht |
|---|---|
| Nennloch | Ø 0.6 mm |
| A Leiterplattendicke | min. 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 0.60 ±0.05 mm |
| C Grundbohrung | 0.70 ±0.02 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | max. 1.5 µm; chem. Sn Leiterplatten |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | Ni, Au Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 0.6 mm |
| A Leiterplattendicke | min. 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 0.60 ±0.05 mm |
| C Grundbohrung | 0.70 ±0.02 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | Ni, Au Schicht, 0.05 - 0.2 µm Au über 2.5 - 5 µm Ni |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | rein Cu Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 0.6 mm |
| A Leiterplattendicke | min. 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 0.60 ±0.05 mm |
| C Grundbohrung | 0.70 ±0.02 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | OSP*,z.B. GLICOAT-SMD (F2) mit 0.12 - 0.15 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | HAL Sn Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 0.6 mm |
| A Leiterplattendicke | min. 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 0.60 ±0.05 mm |
| C Grundbohrung | 0.70 ±0.02 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | HAL Sn, 5 - 15 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
Struktura vrstev podle IEC 60352-5
Úpravy
Na požádání vám můžeme poskytnout také
- Jiný kontaktní povlak
- Také v oblasti technologie THTR
Zpracování
Balení
Podnos
42 ks / tácek
4 zásobníky / krabice